磁控溅射
磁控溅射靶材的利用率可成为磁控溅射源的工程设计和生产工艺成本核算的一个参数。目前没有见到对磁控溅射靶材利用率专门或系统研究的报道，而从理论上对磁控溅射靶材利用率近似计算的探讨具有实际意义。对于静态直冷矩形平面靶，即靶材与磁体之间无相对运动且靶材直接与冷却水接触的靶，真空磁控溅射镀膜机，?靶材利用率数据多在20%~30%左右(间冷靶相对要高一些，但其被刻蚀过程与直冷靶相同，不作专门讨论)，且多为估计值。为了提高靶材利用率，研究出来了不同形式的动态靶，其中以旋转磁场圆柱靶工业上被广泛应用，据称这种靶材的利用率可超过70%，但缺少足够数据或理论证明。常见的磁控溅射靶材从几何形状上看有三种类型：矩形平面、圆形平面和圆柱管?
如何提高利用率是真空磁控溅射镀膜行业的重点，圆柱管靶利用高，真空磁控溅射镀膜机原理，但在有些产业是不适用的，如何提高靶材利用，请到此一看的朋友，在下面留下你的见解，提供好的方法。
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磁控溅射中靶zhong毒是怎么回事，一般的影响因素是什么？
靶zhong毒现象
(1)正离子堆积：靶zhong毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，真空磁控溅射镀膜机哪家好，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶zhong毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。
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磁控溅射法定义是什么？
磁控溅射法是在高真空充入适量的ar，在阴极（柱状靶或平面靶）和阳极（镀膜室壁）
之间施加几百k
直流电压，在镀膜室内产生磁控型异常辉光放电，使ar发生电离。ar离子被阴极加速并轰击阴极靶表面，将靶材表面原子溅射出来沉积在基底表面上形成薄膜。
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